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  • 反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法(続き) (1/2) - EE Times Japan

    EE Times Japan反強誘電体キャパシターから不揮発性メモリを作る方法(続き) (1/2)EE Times Japan外部電界がゼロのときにこれら2つの状態を作れるので、不揮発性メモリとなる。 前回の繰り返しになるが、エネルギーポテンシャルの観点から、このことを説明しよう。自由エネルギーの大小で考えると、反強誘電体では分極のない状態が、自由エネルギーが最も小さい状態に ... 

       


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